日前，拓荆科技表示公告，公司拟使用超募资金9.3亿元用于半导体先进工艺装备研发与产业化项目建设。

据拓荆科技表示，项目将在上海市自由贸易试验区临港新片区建设研发与产业化基地，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。此项目的实施，将助推公司业务规模的持续增长，同时也有助于公司不断加强自身在细分领域的竞争优势，始终保持业内领先地位。

项目通过布局半导体先进工艺装备的研发与产业化，以满足集成电路晶圆制造产线的需求，有利于推动集成电路关键设备的发展，是落实国家产业规划、实现我国集成电路产业链高端设备供给自主可控的必要举措。

随着集成电路芯片技术的迭代升级，芯片结构复杂度不断提高，对薄膜性能的要求也日益提高。这一趋势对薄膜沉积设备提出了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。项目通过新建研发及生产环境，在现有技术储备的基础上，研制适用于先进技术节点的薄膜沉积设备，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化，有利于提升产品技术水平及核心竞争力，并巩固行业领先地位。

随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。Maximize Market Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将达到340亿美元，2020年-2025年期间保持年复合13.3%的增长速度。

项目通过布局适用于先进制程领域的半导体设备，可以进一步提高逻辑电路、存储芯片等集成电路制造设备领域的市场份额，在即将到来的新兴应用领域及其所需高端芯片的增长期中夺得先机，进而抓住市场机遇迅速扩大企业规模。

消息来源：集微网

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