根据华信研究院资料显示，费城半导体指数上周下跌5.83%，低于纳斯达克综合指数0.35个百分点；台湾半导体指数下跌0.64%，低于台湾资讯科技指数0.14个百分点。中国半导体发展指数下跌4.61%，低于A股指数0.45个百分点。上周中国半导体上市公司中，有8家公司上涨，58家公司下跌。其中涨幅最大的公司是国微技术（+30.00%）。
从走势看，上周中国半导体发展指数有所下降。在中美科技博弃不断升级的背景下，强化国家战略科技力量，打造自主、可控、安全、可靠的半导体产业链供应链，实现高水平科技自立自强已经迫在眉睫，半导体行业国产替代亟需加速。
“新型举国体制”助力半导体整体产业国产替代加速，行业核心技术链有望受益。“新型举国体制”旨在将市场机制和举国体制的优势相结合，高效配置科技力量和创新资源“集中力量办大事”。由于半导体产业具有产业链条长、技术攻关难度大、投资力度大和回报周期长等特点，所以仅靠市场自发力量很难形成突破。目前我国半导体产业已经在成熟制程取得重大突破，但在先进制程和产业链的关键点上仍存在一定的阻力。尤其是在半导体上游设备、材料等板块，美国对运算芯片、存储制造设备、14nm以下的芯片制造工具、EUV和DUV光刻机等环节的制裁，形成了对我国关键核心技术封锁的威胁。在新型举国体制下，关键设备及核心技术上下游产业链将通过政策的导向，得到产业资源的优先配置。新型举国体制将充分利好上游设备、材料板块，行业内龙头企业有望显著受益。
设计领域：
国内集成电路产业再添2个研究院，加快突破关键核心技术。中国电科产业基础研究院、芯片技术研究院正式揭牌成立。其中，芯片技术研究院是中国电科经中央编办批准设立的研发机构，将依托园区集成电路产业集聚优势，以及中国电科第24所、26所、44所技术积累和资源优势，成体系布局集成电路、微声电子、半导体光电子、传感器等芯片技术，完善芯片产业链建设，确保产业链供应链安全。中国电科表示，组建产业基础研究院、芯片技术研究院，将推动集成电路与核心元器件攻关，加快突破关键核心技术。中国电科将以研究院揭牌成立为新的起点，瞄准国家急迫需要和长远需求，系统整合集成电路与核心元器件优势资源，全力打好产业基础高级化、产业链现代化攻坚战，努力在世界一流科研院所建设方面率先取得突破。
制造领域：
我国科学家在下一代光电芯片制造领域获重大突破。9月14日晚，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。这一新技术，突破了传统飞秒激光的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级（相当于头发丝的五十分之一），首次缩小到纳米级，达到30纳米，大大提高了加工精度。这一重大发明，未来或可开辟光电芯片制造新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备，在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。
设备领域：
设备零部件，半导体国产化替代的深水区。从产业链结构来看，半导体设备零部件处于半导体产业链的最上游，也是国产化替代进程中较为艰难的领域。究其原因在于设备零部件具有品类繁多、市场分散、认证壁垒高等因素。立足当下，随着国内半导体晶圆厂及设备公司营收规模持续上升，以及其对自身供应链安全的考虑，将有望带动一批半导体设备零部件相关公司发展壮大。
东莞兆恒机械拥有超过18年的半导体设备精密零件制造经验，持续为国内外众多半导体设备企业制造过无数的半导体设备高精密零部件，兆恒基于年均20年的多国籍技术管理团队和高端的进口硬件设备群，及执行严谨的质量管理系统得以保驾护航，受到客户持续的信赖和好评
材料行业：
碳化硅市场渗透率不断上升，产业链迎来规模化发展。碳化硅的发展与电动汽车市场的扩张紧密相连，随着新能源汽车市场规模持续扩大，以及自动驾驶技术的升级演变，车用芯片需求不断上升，第三代半导体碳化硅技术重要性愈发凸显。Wolfspeed、安森美、意法半导体作为碳化硅领域的头部企业，其动态是行业的重要风向标，近期三家企业均发表了对碳化硅行业的积极展望，反映车规级碳化硅产品的渗透率情况好于预期。我们认为碳化硅产业已经进入爆发前夕，随着新能源车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，碳化硅器件在主逆变器、DC／DC转换系统、车载充电系统及充电桩等领域有望迎来规模化发展。
信息来源：华信研究院
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