1）硅片研磨的UV减粘胶带BG tape

这个应用是原料的硅锭切割成硅片以后，表面有些锯痕破损等，需要进行研磨抛光等处理。

这过程中需要用到BG tape，Back grindingtape。

首先，这个厚度公差正负1um，已经把几乎所有的胶带厂商挡在了门外，胶的涂布使用一些精密的涂布机可以达到，但是搭配上那个膜，就很难了，行业一般使用PO聚烯烃膜，目前也是只有日本厂商能大量提供，国内在研发起步中；

其次，胶是水性胶，尽量不留残胶，即使有也很容易清洗去除，胶本身高洁净无污染；同时胶是UV减粘的效果，在原始状态下具有不错的粘结力，但是经过UV光照射后，变成极低的粘性，非常容易和硅片分离。

再次，PO膜本身的除了厚度管控，还要防静电处理，保持柔软性而便于贴合硅片无气泡，无离子析出等等，也是很难做到。

2）晶圆减薄保护胶带

在如台积电等工厂完成晶圆后，硅片上已经有很多芯片电路了。

如上图，左边是线路面，右边是背面，这样的产品，对于封装来说，还是偏厚了，需要进行再减薄，更薄的产品，利于将来芯片的散热，封装后的芯片更加轻薄，也有更好的电性能，所以在foundry厂出货前或者芯片封装厂封装前，需要将晶圆从背面进行减薄。

这类也是BG tape，只是应用点不一样，产品结构也是类似。

简单的工艺如下：

首先，这个胶也是可以用UV减粘，因为有些IC如存储功能的，不能照射UV，所以也有热减粘或者其他方式的减粘，胶要接触芯片，肯定也是需要不留残胶，容易清洁等要求。不同的晶圆尺寸，也有不同的粘度需求，不同的表面，还需要不同厚度的胶来解决表面段差情况。

其次基材也是有PO或者PVC，都有要保持柔韧性，PO膜贵一点，PVC便宜一点，但是有增塑剂析出的问题需要改善。

3）晶圆切割胶带

Wafer晶圆经过减薄以后，还是一整片的，需要切割成一个个单个芯片chip，这过程中需要使用UV Dicing tape，下图是一个典型的dicing过程。

将胶带贴在wafer背面，固定在机台上，进行切割，粘性需要一定的保证，否则容易崩边等不良，不留残胶，某些芯片也不可以使用UV光照。

而基材也有很多学问，防静电，有高的拉伸强度，整体洁净度较高，膜不容易掉屑，因为刀轮会切入膜内几十个微米，不能切断或者切出大量碎屑。

4）QFN封装胶带

目前芯片封装方式有很多，甚至接近百种，其中非常流行的一种方式叫QFN封装，Quad Flat No-leads Package，方形扁平无引脚封装。

而QFN封装的工艺如下：

这过程中用到一种以PI聚酰亚胺为基材，丙烯酸酯为胶的一种单面胶带。

将QFN胶带贴在引线框背面，然后涂导电胶或者绝缘胶，固化后，打金线导体各个pad，再用环氧树脂灌封，封装结束后移除这个胶带。

胶带需要使用PI耐高温的性能，然后不能使用硅胶作为胶黏剂，因为会引起硅污染，丙烯酸类胶耐高温，就有不小的挑战，而且还要不留残胶。

同时这个过程中，用到的导电胶，环氧树脂等也是很独特的材料，掌握在少数几个国际巨头手中。

5）晶片粘结胶膜

将芯片固定在引线框架上或者粘接两层wafer，可以使用胶水，dieattach adhesive，或者也可以使用热敏型的DAF胶膜，Die attach film，或者有导电的CDAF。

6）芯片包装的载盖带

芯片封装结束后，需要使用专门的载盖带包装。